IGBT Ic 570 A Uce 650 V 1 TO-264 Pojedynczy kanał: N 880 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1258051

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXXK110N65B4H1

EAN/GTIN:
5059041077675

Słowa kluczowe:

Dyskrety IGBT IXYS

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	570 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	880 W
Liczba tranzystorów:	1
Typ opakowania:	TO-264
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	10 → 30kHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	20.3 x 5.3 x 26.6mm
Energia znamionowa:	3mJ
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 1258051, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, IXYS, IXXK110N65B4H1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 53,434*

Cena obowiązuje od 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 86,435*	PLN 106,315	za szt.
od 2 szt.	PLN 77,493*	PLN 95,316	za szt.
od 5 szt.	PLN 69,184*	PLN 85,096	za szt.
od 10 szt.	PLN 65,184*	PLN 80,176	za szt.
od 20 szt.	PLN 64,424*	PLN 79,242	za szt.
od 25 szt.	PLN 61,104*	PLN 75,158	za szt.
od 3000 szt.	PLN 53,434*	PLN 65,724	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.