|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1530718 Nr producenta:
PMV20XNEAR EAN/GTIN:
5059043691763 |
| |
|
| | |
| Układ MOSFET 20 V z kanałem N w technologii Trench. Tranzystor polowy (FET) z kanałem N z trybem wzmocnienia w małej obudowie SOT23 (TO-236AB) do montażu powierzchniowego (SMD), wykonany w technologii Trench MOSFET.Niskie napięcie progowe Bardzo szybkie przełączanie Technologia Trench MOSFET Zabezpieczenie przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) > 2 kV HBM Kwalifikacja AEC-Q101 Sterownik przekaźnika Szybki sterownik liniowy Przełącznik obciążenia strony niskiej Obwody przełączające Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 6,3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 34 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.25V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.75V | Maksymalna strata mocy: | 6,94 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |