MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 430 mA, 540 mA SOT-363 20 V SMD Izolacja 250 mW 2 Ω, 900 mΩ

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1660586

Producent:
Diodes

Nr producenta:
DMC2004DWK-7

EAN/GTIN:
5059043299020

Słowa kluczowe:

Podwójny MOSFET N/P-Channel, Diodes Inc.

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	430 mA, 540 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20 V
Typ opakowania:	SOT-363
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	6
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	2 Ω, 900 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	250 mW
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-8 V, +8 V
Długość:	2.2mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, tranzystor polowy, 1660586, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMC2004DWK7

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 0,616*

Cena obowiązuje od 1 500 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 3000 szt.	PLN 0,656*	PLN 0,807	za szt.
od 15000 szt.	PLN 0,636*	PLN 0,782	za szt.
od 30000 szt.	PLN 0,626*	PLN 0,77	za szt.
od 1500000 szt.	PLN 0,616*	PLN 0,758	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.