|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1663195 Nr producenta:
RFD3055LESM9A EAN/GTIN:
5059042524727 |
| |
|
| | |
| Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 107 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 38 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -16 V, +16 V | Długość: | 6.73mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |