Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N-kanałowy 22 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD Pojedynczy 390 W 145 miliomów


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Additonal Images
Nr artykułu:
     3MTJS-1684819
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXFA22N65X2
EAN/GTIN:
     5059041345101
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiPerFET™ X2. Tranzystor klasy IXYS X2 klasy HiPerFET Power MOSFET o znacznie mniejszej rezystancji i stopniu naładowania bramki w porównaniu z poprzednimi generacjami tranzystorów zasilających MOSFET, co skutkuje mniejszymi stratami i większą wydajnością operacyjną. Te wytrzymałe urządzenia są wyposażone w udoskonaloną diodę wewnętrzną o dużej prędkości, która jest odpowiednia zarówno do pracy w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym. Tranzystory Power MOSFET klasy X2 są dostępne w różnych standardowych pakietach, w tym w postaci izolowanych typów, o natężeniu znamionowym do 120A przy 650 V. Typowe zastosowania obejmują przemienniki DC-DC, napędy silników AC i DC, zasilanie w trybie przełączania i rezonansowym, zasilacze DC Choppers, inwertory słoneczne, sterowanie temperaturą i oświetleniem. Bardzo niski RDS(on) i QG (ładowanie bramki) Szybka dioda prostownicza Niska wewnętrzna oporność bramki Niska indukcyjność obudowy Obudowy zgodne z normami przemysłowymi
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
22 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
650 V
Typ opakowania:
D2PAK (TO-263)
Seria:
HiperFET, X2-Class
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
145 miliomów
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
5V
Minimalne napięcie progowe VGS:
2.7V
Maksymalna strata mocy:
390 W
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:
-30 V, +30 V
Długość:
10.41mm
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, 1684819, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXFA22N65X2
Oferty (3)
Stan magazynu
Min. liczba zamawianych produktów
Wysyłka
Cena ruchoma
Cena jednostkowa
^
Magazyn 3MTJS
50
Dostawa bezpłatna
od PLN 19,738*
PLN 21,908*
1
PLN 12,90*
od PLN 12,28*
PLN 23,58*
4 dni
300
5
PLN 25,61*
od PLN 20,39*
PLN 27,32*
Ceny: Magazyn 3MTJS
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 50 szt.
PLN 21,908*
PLN 26,947
za szt.
od 7500 szt.
PLN 19,738*
PLN 24,278
za szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 50 szt.
Minimalna liczba zamawianych produktów: 50 szt. ( odpowiada PLN 1 095,40* plus VAT )
Stan magazynu: Magazyn 3MTJS
Wysyłka: Magazyn 3MTJS
Wyświetl szczegółowe informacje o stanie magazynu.
Wartość zamówienia
Wysyłka
od PLN 0,00*
PLN 15,90*
od PLN 330,00*
Dostawa bezpłatna
Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS
Okres czasu:w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:ponosi klient
Opłata manipulacyjna:Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.