IGBT Ic 20 A Uce 600 V TO-220SIS Pojedynczy kanał: N 45 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1687764

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
GT20J341

EAN/GTIN:
5059041371827

Słowa kluczowe:

Moduł IGBT dyskretes Toshiba

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	20 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±25V
Maksymalna strata mocy:	45 W
Typ opakowania:	TO-220SIS
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	100kHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	10 x 4.5 x 15mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, igbt toshiba, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 1687764, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Toshiba, GT20J341

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 362,85*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 50 szt. (od PLN 7,257* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 420,16*	PLN 516,7968	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 414,33*	PLN 509,6259	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 408,97*	PLN 503,0331	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 392,11*	PLN 482,2953	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 362,85*	PLN 446,3055	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.