IGBT Ic 30 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 170 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1687766

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
GT30J121

EAN/GTIN:
5059041342216

Słowa kluczowe:

Moduł IGBT dyskretes Toshiba

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	30 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	170 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.9 x 4.8 x 20mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, igbt toshiba, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 1687766, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Toshiba, GT30J121

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 590,87*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 50 szt. (od PLN 11,8174* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 672,83*	PLN 827,5809	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 670,86*	PLN 825,1578	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 640,55*	PLN 787,8765	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 615,64*	PLN 757,2372	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 590,87*	PLN 726,7701	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.