IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1687767

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
GT50JR21

EAN/GTIN:
5059041359245

Słowa kluczowe:

Moduł IGBT dyskretes Toshiba

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±25V
Maksymalna strata mocy:	230 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.5 x 4.5 x 20mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, igbt toshiba, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 1687767, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Toshiba, GT50JR21

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 423,41*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 25 szt. (od PLN 16,9364* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 489,87*	PLN 602,5401	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 484,92*	PLN 596,4516	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 475,02*	PLN 584,2746	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 445,29*	PLN 547,7067	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 423,41*	PLN 520,7943	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.