MOSFET N-kanałowy 6 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD 27,8 W 60 mΩ

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1783727

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SQS966ENW-T1_GE3

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Układ MOSFET zasilania TrenchFET®

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	PowerPAK 1212-8
Seria:	TrenchFET
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	60 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.5V
Maksymalna strata mocy:	27,8 W
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	±20 V
Długość:	3.15mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C

Dalsze słowa kluczowe: 1783727, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay Siliconix, SQS966ENWT1_GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1,462*

Cena obowiązuje od 1 500 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 3000 szt.	PLN 1,512*	PLN 1,86	za szt.
od 6000 szt.	PLN 1,502*	PLN 1,847	za szt.
od 15000 szt.	PLN 1,482*	PLN 1,823	za szt.
od 30000 szt.	PLN 1,472*	PLN 1,811	za szt.
od 1500000 szt.	PLN 1,462*	PLN 1,798	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.