MOSFET N-kanałowy 100 A TDSON 100 V SMD Pojedynczy 156 W 8,6 milioma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1787495

Producent:
Infineon

Nr producenta:
BSC070N10NS3GATMA1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 100 V i więcej

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	100 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	TDSON
Seria:	OptiMOS™ 3
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	8,6 milioma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy:	156 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	6.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, mosfet mocy, 1787495, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSC070N10NS3GATMA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 3,051*

Cena obowiązuje od 50 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 5000 szt.	PLN 3,121*	PLN 3,839	za szt.
od 10000 szt.	PLN 3,101*	PLN 3,814	za szt.
od 25000 szt.	PLN 3,071*	PLN 3,777	za szt.
od 50000 szt.	PLN 3,051*	PLN 3,753	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.