Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A, 3,7 A 1206 ChipFET 30 V SMD 0.1 O,0.235 O


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-1807761
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SI5504BDC-T1-E3
EAN/GTIN:
     5059045716105
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, 3,7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V
Seria = TrenchFET
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1 O,0.235 O
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 3V
Liczba elementów na układ = 2
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu:
4 A, 3,7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
30 V
Typ opakowania:
1206 ChipFET
Seria:
TrenchFET
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.1 O,0.235 O
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
3V
Liczba elementów na układ:
2
Dalsze słowa kluczowe: 1807761, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI5504BDCT1E3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1,948*
  
Cena obowiązuje od 75 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 4,477*
PLN 5,507
za szt.
od 50 szt.
PLN 4,277*
PLN 5,261
za szt.
od 100 szt.
PLN 3,919*
PLN 4,82
za szt.
od 200 szt.
PLN 3,819*
PLN 4,697
za szt.
od 250 szt.
PLN 2,907*
PLN 3,576
za szt.
od 500 szt.
PLN 2,576*
PLN 3,168
za szt.
od 1000 szt.
PLN 2,188*
PLN 2,691
za szt.
od 75000 szt.
PLN 1,948*
PLN 2,396
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.