|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1858661 Nr producenta:
FOD8342V EAN/GTIN:
5059045649359 |
| |
|
| | |
| FOD8342T - odległość upływu i szczeliny 8 mm i odległość izolacji 0,4 mm do osiągnięcia niezawodnej i wysokonapięciowej izolacji 3,0 A Peak Output prądowy z możliwością zwiększenia natężenia dla tranzystorów średniej mocy IGBT/MOSFET Użycie P-kanałowych tranzystorów MOSFET w stanie wyjściowym umożliwia zbliżenie napięcia wyjściowego do szyny zasilającej Minimalna odrzucanie w trybie wspólnym: 20 kV/μs Szeroki zakres napięcia zasilania: Od 10 V do 30 V. Wysoka prędkość przełączania powyżej pełnego zakresu temperatur pracy 210 ns oznacza maksymalne opóźnienie propagacji Maksymalne zniekształcenia szerokości impulsu 65 ns Blokada niskiego napięcia (UVLO) z wykorzystaniem histerezy Rozszerzony zakres temperatur przemysłowych: Od -40°C do 100°C. Zastosowania Napędy silników AC i bezszczotkowych DC Przemiennik przemysłowy Zasilacz bezprzerwowy Ogrzewanie indukcyjne Izolowany napęd bramki IGBT/Power MOSFET Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Urządzenie wyjściowe: | Układ przeciwsobny MOSFET | Maksymalne napięcie przekazania: | 1.8V | Liczba kanałów: | 1 | Liczba styków: | 6 | Typ opakowania: | SOP | Typowy czas narastania sygnału: | 38ns | Maksymalny prąd wejściowy: | 16 mA | Napięcie izolacji: | 5000 Vrms AC | Wyjście logiczne: | Tak | Typowy czas opadania sygnału: | 24ns | Seria: | FOD8342 | Funkcje specjalne: | Minimalne tłumienie składowej wspólnej 20 kV/s, Blokada podnapięciowa z histerezą, Szeroki zakres napięcia zasilania: Od 10 V do 30 V |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Transoptory, tranzystor mosfet, 1858661, Wyświetlacze i optoelektronika, Transoptory i fotodetektory, onsemi, FOD8342V |
| | |
| |