|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1885065 Nr producenta:
SQUN702E-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045739890 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = NPN
Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A, 30 A, 20 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 (kanał 3) V 40 (kanał 1) V 40 (2) V
Typ opakowania = Potrójny Die
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 10
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy = 48 W, 48 W, 60 W
Konfiguracja tranzystora = Wspólny dren
Maksymalne napięcie bramka-źródło = 20 V
Maksymalna temperatura robocza = +175°C
Norma motoryzacyjna = AEC-Q101 Dalsze informacje: | | Typ kanału: | NPN | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A, 30 A, 20 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200 (kanał 3) V 40 (kanał 1) V 40 (2) V | Typ opakowania: | Potrójny Die | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 10 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0135 (kanał 2) Ω, 0.048 (kanał 1) Ω, 0.06 (kanał 3) Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V | Maksymalna strata mocy: | 48 W, 48 W, 60 W | Konfiguracja tranzystora: | Wspólny dren | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Liczba elementów na układ: | 3 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1885065, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQUN702ET1_GE3 |
| | |
| |