| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-1924825 Nr producenta: STL10N60M6 EAN/GTIN: 5059045417477 |
| |
|
| | |
| Nowa technologia MDmesh™ M6 wykorzystuje najnowsze osiągnięcia w rodzinie znanych i skonsolidowanych tranzystorów MOSFET MDmesh. STMicroelectronics wykorzystuje technologię M6 poprzedniej generacji urządzeń MDmesh, która łączy doskonałą technologię RDS(on) na jednym obszarze z najbardziej efektywnymi zachowaniami przełączania, a także przyjazne dla użytkownika doświadczenie, zapewniając maksymalną wydajność aplikacji końcowych.Zmniejszenie strat związanych z przełączaniem Niższy poziom RDS(włączony) na dany obszar w porównaniu z poprzednią generacją Niska oporność wejściowa klapy Zabezpieczenie z wykorzystaniem diody Zenera Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 5,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | PowerFLAT 5 x 6 HV | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 660 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.75V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3.25V | Maksymalna strata mocy: | 48 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±25 V | Długość: | 6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |