MOSFET N-kanałowy 12 A TO-220 500 V Pojedynczy 200 W 500 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-194619

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXFP12N50P

EAN/GTIN:
5059041318877

Słowa kluczowe:

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™. Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	12 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	500 V
Typ opakowania:	TO-220
Seria:	HiperFET, Polar
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	500 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	5.5V
Maksymalna strata mocy:	200 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-30 V, +30 V
Długość:	10.66mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C

Dalsze słowa kluczowe: 194619, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXFP12N50P

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 55,25*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 11,05* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 96,39*	PLN 118,5597	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 83,915*	PLN 103,21545	za opakowanie
od 4 opakowania	PLN 79,765*	PLN 98,11095	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 75,305*	PLN 92,62515	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 66,65*	PLN 81,9795	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 63,36*	PLN 77,9328	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 55,25*	PLN 67,9575	za opakowanie