| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-2014417 Nr producenta: STGWA30HP65FB2 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 167 W Typ opakowania = DO-247 przewodów długich Typ kanału = N Liczba styków = 3 Konfiguracja tranzystora = Szereg Dalsze informacje: | | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±30V | Maksymalna strata mocy: | 167 W | Liczba tranzystorów: | 1 | Typ opakowania: | DO-247 przewodów długich | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 3 | Konfiguracja tranzystora: | Szereg |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2014417, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGWA30HP65FB2 |
| | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | Magazyn 3MTJS | | | | 30 | | PLN 15,90* | od PLN 6,26* | PLN 10,856* | | | | | | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 7,36* | PLN 13,17* | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 3MTJS | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 30 szt. | Minimalna liczba zamawianych produktów: 30 szt. ( odpowiada PLN 325,68* plus VAT ) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 3MTJS | | Wysyłka: Magazyn 3MTJS | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 15,90* | | od PLN 330,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS | | | Okres czasu: | w przeciągu 21 dni | Stan opakowania: | opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń | Stan towaru: | nieużywany | Koszty przesyłki zwrotnej: | ponosi klient | Opłata manipulacyjna: | Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku. | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|