Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 238 W


Liczba:  opakowania  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2025670
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     AFGHL40T65SQD
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
tranzystor bipolarny z izolowaną br...
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzielny IGBT.Kwalifikacja AEC-Q101 Wysoka wydajność prądowa Szybkie przełączanie Ścisły rozkład parametrów Zgodność z RoHS
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30.0V
Maksymalna strata mocy:
238 W
Liczba tranzystorów:
30
Typ opakowania:
TO-247
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Dalsze słowa kluczowe: 2025670, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, AFGHL40T65SQD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 154,49*
  
Cena obowiązuje od 22 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 15,449* za szt.)
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 45 opakowania
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 45 opakowania
PLN 158,52*
PLN 194,9796
za opakowanie
od 90 opakowania
PLN 157,97*
PLN 194,3031
za opakowanie
od 225 opakowania
PLN 156,03*
PLN 191,9169
za opakowanie
od 450 opakowania
PLN 154,88*
PLN 190,5024
za opakowanie
od 22500 opakowania
PLN 154,49*
PLN 190,0227
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.