Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 85 A Uce 650 V PG-TO247-4 273 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2156677
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IKZ50N65EH5XKSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Dwubiegunowy tranzystor i dioda Infineon 650v z bramką izolacyjną są wyposażone w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
85 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20 V, ±30 V
Maksymalna strata mocy:
273 W
Typ opakowania:
PG-TO247-4
Liczba styków:
4
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2156677, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IKZ50N65EH5XKSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 17,911*
  
Cena obowiązuje od 6 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 30,522*
PLN 37,542
za szt.
od 4 szt.
PLN 30,482*
PLN 37,493
za szt.
od 10 szt.
PLN 26,38*
PLN 32,447
za szt.
od 20 szt.
PLN 24,157*
PLN 29,713
za szt.
od 40 szt.
PLN 23,817*
PLN 29,295
za szt.
od 50 szt.
PLN 22,129*
PLN 27,219
za szt.
od 100 szt.
PLN 20,451*
PLN 25,155
za szt.
od 6000 szt.
PLN 17,911*
PLN 22,031
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.