|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2169712 Nr producenta:
TSM300NB06DCR EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi przez skraplacz. „efekt pola”; oznacza, że są one sterowane napięciem. Celem tranzystora MOSFET jest sterowanie przepływem prądu przepływającego od źródła do zacisków odpływowych.Niski poziom RDS (WŁ.), aby zminimalizować straty przewodzenia Niski poziom naładowania bramki umożliwiający szybkie przełączanie zasilania Przetestowano 100% UIS i RG Dalsze informacje: | | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PDFN56 | Seria: | TSM025 | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 30 m.Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor polowy, 2169712, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory MOSFET, Taiwan Semiconductor, TSM300NB06DCR |
| | |
| |