Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N-kanałowy 35 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.026 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2183043
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IPD35N10S3L26ATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V
Seria = OptiMOS™-T
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.026 Ω
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.4V
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
100 V
Typ opakowania:
DPAK (TO-252)
Seria:
OptiMOS™-T
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.026 Ω
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
2.4V
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Si
Dalsze słowa kluczowe: 2183043, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD35N10S3L26ATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3,801*
  
Cena obowiązuje od 45 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 5,864*
PLN 7,213
za szt.
od 30 szt.
PLN 5,824*
PLN 7,164
za szt.
od 75 szt.
PLN 5,192*
PLN 6,386
za szt.
od 150 szt.
PLN 4,908*
PLN 6,037
za szt.
od 300 szt.
PLN 4,728*
PLN 5,815
za szt.
od 375 szt.
PLN 4,519*
PLN 5,558
za szt.
od 750 szt.
PLN 4,211*
PLN 5,18
za szt.
od 45000 szt.
PLN 3,801*
PLN 4,675
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.