|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2184320 Nr producenta:
FF1200R12IE5PBPSA1 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1200 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do zastosowań z przełączaniem twardym i miękkim, takich jak konwertery dużej mocy, system UPS, napędy silnikowe i zastosowania słoneczne.Miedziane wiązania zapewniające wysokie możliwości przenoszenia prądu Spiekanie wiórów zapewnia najwyższą wydajność cyklu zasilania Łączne straty zmniejszone o 20% Mniejsze zapotrzebowanie na chłodzenie przy tej samej mocy wyjściowej Włącza wyższe warunki przeciążeniowe układu Dalsze informacje: | | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 1,2 kA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 1200 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | 20V | Maksymalna strata mocy: | 20 mW | Liczba tranzystorów: | 2 | Konfiguracja: | Podwójna | Typ opakowania: | PRIME2 | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 10 | Konfiguracja tranzystora: | Dwa |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2184320, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF1200R12IE5PBPSA1 |
| | |
| |