Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2184389
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IGB50N65H5ATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 270 W
Typ opakowania = TO-263
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
270 W
Liczba tranzystorów:
1
Typ opakowania:
TO-263
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2184389, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IGB50N65H5ATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6,758*
  
Cena obowiązuje od 500 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 1 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 1000 szt.
PLN 7,068*
PLN 8,694
za szt.
od 2000 szt.
PLN 7,038*
PLN 8,657
za szt.
od 5000 szt.
PLN 6,908*
PLN 8,497
za szt.
od 10000 szt.
PLN 6,838*
PLN 8,411
za szt.
od 500000 szt.
PLN 6,758*
PLN 8,312
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.