Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.0031 O.


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2207378
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IPB031N08N5ATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Dioda SMD
Diody SMD
Tranzystor SMD
Tranzystory SMD
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V
Typ opakowania = D2PAK (TO-263)
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0031 O.
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.8V
Liczba elementów na układ = 1
Seria = OptiMOS 3
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
120 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
80 V
Typ opakowania:
D2PAK (TO-263)
Seria:
OptiMOS 3
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.0031 O.
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
3.8V
Liczba elementów na układ:
1
Dalsze słowa kluczowe: dioda smd, 2207378, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory MOSFET, Infineon, IPB031N08N5ATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 7,418*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 13,605*
PLN 16,734
za szt.
od 10 szt.
PLN 13,485*
PLN 16,587
za szt.
od 25 szt.
PLN 10,871*
PLN 13,371
za szt.
od 50 szt.
PLN 9,947*
PLN 12,235
za szt.
od 100 szt.
PLN 9,837*
PLN 12,10
za szt.
od 125 szt.
PLN 9,099*
PLN 11,192
za szt.
od 250 szt.
PLN 8,468*
PLN 10,416
za szt.
od 15000 szt.
PLN 7,418*
PLN 9,124
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.