Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 900 A Uce 1200 V AG-ECONOD Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2224798
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF900R12ME7B11BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Moduł IGBT7 Infineon EconoduAL™ 3 1200 V, 900 A Dual TRENCHSTOP™ z kontrolowaną emiterem 7 diodą, NTC i technologią styków pressfit. Dostępne również z wstępnie zastosowanym materiałem termoczuły.Najwyższa gęstość mocy Najlepsze w swojej klasie urządzenie VCE SAT Tvj op = przeciążenie 175°C. Lepsze zaciski Zoptymalizowana odległość przecieku dla zastosowań PV 1500 V.
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Konfiguracja:
Podwójna
Typ opakowania:
AG-ECONOD
Typ kanału:
N
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2224798, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF900R12ME7B11BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 207,752*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 475,267*
PLN 1 814,578
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 379,356*
PLN 1 696,608
za szt.
od 3 szt.
PLN 1 321,302*
PLN 1 625,201
za szt.
od 5 szt.
PLN 1 257,112*
PLN 1 546,248
za szt.
od 10 szt.
PLN 1 240,612*
PLN 1 525,953
za szt.
od 500 szt.
PLN 1 207,752*
PLN 1 485,535
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.