Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2236326
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGS80TSX2DGC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 555 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwarcia 10 μs Zbudowany w bardzo szybkim i miękkim FRD odzyskiwania Zgodność z RoHS
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
555 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2236326, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGS80TSX2DGC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 33,509*
  
Cena obowiązuje od 4 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 450 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 450 szt.
PLN 34,329*
PLN 42,225
za szt.
od 900 szt.
PLN 34,169*
PLN 42,028
za szt.
od 2250 szt.
PLN 33,719*
PLN 41,474
za szt.
od 4500 szt.
PLN 33,509*
PLN 41,216
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.