Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2236327
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGS80TSX2DGC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 555 W
Typ opakowania = TO-247N
Liczba styków = 3
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
555 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2236327, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGS80TSX2DGC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 33,563*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 58,333*
PLN 71,75
za szt.
od 2 szt.
PLN 58,293*
PLN 71,70
za szt.
od 5 szt.
PLN 56,473*
PLN 69,462
za szt.
od 10 szt.
PLN 46,753*
PLN 57,506
za szt.
od 20 szt.
PLN 46,153*
PLN 56,768
za szt.
od 25 szt.
PLN 45,268*
PLN 55,68
za szt.
od 50 szt.
PLN 44,419*
PLN 54,635
za szt.
od 100 szt.
PLN 38,243*
PLN 47,039
za szt.
od 3000 szt.
PLN 33,563*
PLN 41,282
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.