Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2236329
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGS80TSX2GC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Liczba tranzystorów = 1
Konfiguracja = Pojedyncza
Liczba styków = 3
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
555 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2236329, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGS80TSX2GC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 27,083*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 46,945*
PLN 57,742
za szt.
od 2 szt.
PLN 46,835*
PLN 57,607
za szt.
od 5 szt.
PLN 46,465*
PLN 57,152
za szt.
od 10 szt.
PLN 37,65*
PLN 46,31
za szt.
od 20 szt.
PLN 36,93*
PLN 45,424
za szt.
od 25 szt.
PLN 36,283*
PLN 44,628
za szt.
od 50 szt.
PLN 35,571*
PLN 43,752
za szt.
od 100 szt.
PLN 30,683*
PLN 37,74
za szt.
od 3000 szt.
PLN 27,083*
PLN 33,312
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.