Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 210 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2250574
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IHW40N65R6XKSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 210 W
Typ opakowania = PG-TO247-3
Liczba styków = 3
Dalsze informacje:
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
210 W
Typ opakowania:
PG-TO247-3
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2250574, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IHW40N65R6XKSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8,442*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 14,578*
PLN 17,931
za szt.
od 10 szt.
PLN 14,558*
PLN 17,906
za szt.
od 25 szt.
PLN 12,369*
PLN 15,214
za szt.
od 50 szt.
PLN 11,365*
PLN 13,979
za szt.
od 100 szt.
PLN 11,235*
PLN 13,819
za szt.
od 125 szt.
PLN 10,439*
PLN 12,84
za szt.
od 250 szt.
PLN 9,632*
PLN 11,847
za szt.
od 15000 szt.
PLN 8,442*
PLN 10,384
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.