Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 83 A Uce 650 V PG-TO247-3 251 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2250575
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IHW50N65R6XKSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Infineon IHW50N65R6 to 650 V, 50 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań w zakresie ogrzewania indukcyjnego przy użyciu topologii tłumiącej.Zakres częstotliwości 20-75 kHz Niska wartość EMI Bardzo ścisły rozkład parametrów Maksymalna temperatura robocza TJ wynosi 175 °C.
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
83 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
251 W
Typ opakowania:
PG-TO247-3
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2250575, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IHW50N65R6XKSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8,014*
  
Cena obowiązuje od 120 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 240 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 240 szt.
PLN 9,002*
PLN 11,072
za szt.
od 480 szt.
PLN 8,394*
PLN 10,325
za szt.
od 1200 szt.
PLN 8,344*
PLN 10,263
za szt.
od 2400 szt.
PLN 8,244*
PLN 10,14
za szt.
od 120000 szt.
PLN 8,014*
PLN 9,857
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.