Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO263 Pojedynczy kanał: N 270 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2266063
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IGB50N65S5ATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V
Maksymalna strata mocy = 270 W
Typ opakowania = PG-TO263
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
30V
Maksymalna strata mocy:
270 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
PG-TO263
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2266063, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IGB50N65S5ATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 9,667*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 16,466*
PLN 20,253
za szt.
od 10 szt.
PLN 16,386*
PLN 20,155
za szt.
od 25 szt.
PLN 13,943*
PLN 17,15
za szt.
od 50 szt.
PLN 12,876*
PLN 15,837
za szt.
od 100 szt.
PLN 12,726*
PLN 15,653
za szt.
od 125 szt.
PLN 11,812*
PLN 14,529
za szt.
od 250 szt.
PLN 11,057*
PLN 13,60
za szt.
od 15000 szt.
PLN 9,667*
PLN 11,89
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.