Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 820 A Uce 750 V 6 AG-HYBRIDD-1 kanał: N 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2291788
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS820R08A6P2LBBPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 820 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Typ opakowania = AG-HYBRIDD-1
Typ kanału = N
Liczba styków = 33
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
820 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
750 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
6
Typ opakowania:
AG-HYBRIDD-1
Typ kanału:
N
Liczba styków:
33
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2291788, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS820R08A6P2LBBPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 911,945*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 2 201,279*
PLN 2 707,573
za szt.
od 2 szt.
PLN 2 060,045*
PLN 2 533,855
za szt.
od 5 szt.
PLN 1 991,935*
PLN 2 450,08
za szt.
od 10 szt.
PLN 1 967,365*
PLN 2 419,859
za szt.
od 500 szt.
PLN 1 911,945*
PLN 2 351,692
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.