Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2326713
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP50R12N2T7BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Konfiguracja = 3-fazowe
Typ montażu = Montaż w obudowie
Typ kanału = N
Liczba styków = 23
Konfiguracja tranzystora = 3-fazy
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
7
Konfiguracja:
3-fazowe
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż w obudowie
Typ kanału:
N
Liczba styków:
23
Konfiguracja tranzystora:
3-fazy
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2326713, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP50R12N2T7BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3 274,72*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 327,472* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 3 636,12*
PLN 4 472,4276
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 3 450,74*
PLN 4 244,4102
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 3 406,98*
PLN 4 190,5854
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 3 353,89*
PLN 4 125,2847
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 3 274,72*
PLN 4 027,9056
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.