Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 83 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2326737
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IKWH30N65WR6XKSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 1
Konfiguracja = Pojedyncza
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
30 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
83 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247-3-HCC
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2326737, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IKWH30N65WR6XKSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6,699*
  
Cena obowiązuje od 90 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 30 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 30 szt.
PLN 9,457*
PLN 11,632
za szt.
od 60 szt.
PLN 8,857*
PLN 10,894
za szt.
od 150 szt.
PLN 8,228*
PLN 10,12
za szt.
od 300 szt.
PLN 7,539*
PLN 9,273
za szt.
od 600 szt.
PLN 7,059*
PLN 8,683
za szt.
od 90000 szt.
PLN 6,699*
PLN 8,24
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.