Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 64 A PQFN 3 x 3 80 V SMD 0.0078 O, 0.0099 O.


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2326768
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     ISZ0602NLSATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 64 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V
Seria = OptiMOS 5
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0078 O, 0.0099 O.
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.3V
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
64 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
80 V
Typ opakowania:
PQFN 3 x 3
Seria:
OptiMOS™ 5
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.0078 O, 0.0099 O.
Maksymalne napięcie progowe VGS:
2.3V
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Si
Dalsze słowa kluczowe: 2326768, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, ISZ0602NLSATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 2,017*
  
Cena obowiązuje od 50 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5000 szt.
PLN 2,067*
PLN 2,542
za szt.
od 10000 szt.
PLN 2,057*
PLN 2,53
za szt.
od 25000 szt.
PLN 2,037*
PLN 2,506
za szt.
od 50000 szt.
PLN 2,017*
PLN 2,481
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.