| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-2326771 Nr producenta: ISZ0702NLSATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 86 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0045 O, 0.0056 O. Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.3V Materiał tranzystora = Si Seria = OptiMOS 5 Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 86 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PQFN 3 x 3 | Seria: | OptiMOS 5 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0045 O, 0.0056 O. | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.3V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 2326771, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, ISZ0702NLSATMA1 |
| | |
| |