Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 9 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.585 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352689
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     R6509END3TL1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V
Typ opakowania = DPAK (TO-252)
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.585 Ω
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
9 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
650 V
Typ opakowania:
DPAK (TO-252)
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.585 Ω
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
4V
Liczba elementów na układ:
1
Dalsze słowa kluczowe: 2352689, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, R6509END3TL1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3,694*
  
Cena obowiązuje od 1 250 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2500 szt.
PLN 3,784*
PLN 4,654
za szt.
od 5000 szt.
PLN 3,774*
PLN 4,642
za szt.
od 12500 szt.
PLN 3,724*
PLN 4,581
za szt.
od 25000 szt.
PLN 3,704*
PLN 4,556
za szt.
od 1250000 szt.
PLN 3,694*
PLN 4,544
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.