Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352725
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGSX5TS65DHRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 404 W
Typ opakowania = TO-247N
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
404 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2352725, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGSX5TS65DHRC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 27,734*
  
Cena obowiązuje od 4 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 450 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 450 szt.
PLN 28,544*
PLN 35,109
za szt.
od 900 szt.
PLN 28,434*
PLN 34,974
za szt.
od 2250 szt.
PLN 27,964*
PLN 34,396
za szt.
od 4500 szt.
PLN 27,734*
PLN 34,113
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.