Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352728
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGSX5TS65EGC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Liczba tranzystorów = 1
Typ opakowania = TO-247N
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
404 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2352728, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGSX5TS65EGC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 29,473*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 43,713*
PLN 53,767
za szt.
od 2 szt.
PLN 43,543*
PLN 53,558
za szt.
od 5 szt.
PLN 42,923*
PLN 52,795
za szt.
od 10 szt.
PLN 36,548*
PLN 44,954
za szt.
od 20 szt.
PLN 35,658*
PLN 43,859
za szt.
od 25 szt.
PLN 34,91*
PLN 42,939
za szt.
od 50 szt.
PLN 34,026*
PLN 41,852
za szt.
od 100 szt.
PLN 33,333*
PLN 41,00
za szt.
od 3000 szt.
PLN 29,473*
PLN 36,252
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.