Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352732
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGSX5TS65HRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 404 W
Typ opakowania = TO-247N
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
404 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2352732, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGSX5TS65HRC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 10 173,0105*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 450 szt. (od PLN 22,60669* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 10 562,85*
PLN 12 992,3055
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 10 504,3815*
PLN 12 920,38925
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 10 321,5735*
PLN 12 695,53541
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 10 225,782*
PLN 12 577,71186
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 10 173,0105*
PLN 12 512,80292
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.