Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352734
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGTV80TK65DGVC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 85 W
Typ opakowania = TO-3PFM
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
23 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
85 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-3PFM
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2352734, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGTV80TK65DGVC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 18,03*
  
Cena obowiązuje od 225 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 450 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 450 szt.
PLN 18,45*
PLN 22,69
za szt.
od 900 szt.
PLN 18,40*
PLN 22,63
za szt.
od 2250 szt.
PLN 18,17*
PLN 22,35
za szt.
od 4500 szt.
PLN 18,04*
PLN 22,19
za szt.
od 225000 szt.
PLN 18,03*
PLN 22,18
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.