Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352736
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGTV80TK65DGVC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 85 W
Typ opakowania = TO-3PFM
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
23 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
85 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-3PFM
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2352736, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGTV80TK65DGVC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 21,062*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 31,747*
PLN 39,049
za szt.
od 5 szt.
PLN 31,157*
PLN 38,323
za szt.
od 10 szt.
PLN 27,541*
PLN 33,875
za szt.
od 20 szt.
PLN 26,031*
PLN 32,018
za szt.
od 25 szt.
PLN 25,465*
PLN 31,322
za szt.
od 50 szt.
PLN 24,342*
PLN 29,941
za szt.
od 100 szt.
PLN 23,922*
PLN 29,424
za szt.
od 7500 szt.
PLN 21,062*
PLN 25,906
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.