Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352742
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGW00TS65DHRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Liczba tranzystorów = 1
Typ opakowania = TO-247N
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
254 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2352742, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGW00TS65DHRC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 26,093*
  
Cena obowiązuje od 4 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 450 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 450 szt.
PLN 26,573*
PLN 32,685
za szt.
od 900 szt.
PLN 26,483*
PLN 32,574
za szt.
od 2250 szt.
PLN 26,223*
PLN 32,254
za szt.
od 4500 szt.
PLN 26,093*
PLN 32,094
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.