Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352745
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGW00TS65EHRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Liczba tranzystorów = 1
Typ opakowania = TO-247N
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
254 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: 2352745, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGW00TS65EHRC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 27,943*
  
Cena obowiązuje od 6 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 40,763*
PLN 50,138
za szt.
od 4 szt.
PLN 40,483*
PLN 49,794
za szt.
od 10 szt.
PLN 37,465*
PLN 46,082
za szt.
od 20 szt.
PLN 36,097*
PLN 44,399
za szt.
od 40 szt.
PLN 35,697*
PLN 43,907
za szt.
od 100 szt.
PLN 34,967*
PLN 43,009
za szt.
od 200 szt.
PLN 31,773*
PLN 39,081
za szt.
od 6000 szt.
PLN 27,943*
PLN 34,37
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.