Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352747
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGW00TS65HRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Liczba tranzystorów = 1
Konfiguracja = Pojedyncza
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
254 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: 2352747, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGW00TS65HRC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 19,997*
  
Cena obowiązuje od 6 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 31,522*
PLN 38,772
za szt.
od 4 szt.
PLN 31,392*
PLN 38,612
za szt.
od 10 szt.
PLN 29,173*
PLN 35,883
za szt.
od 20 szt.
PLN 28,02*
PLN 34,465
za szt.
od 40 szt.
PLN 27,70*
PLN 34,071
za szt.
od 100 szt.
PLN 26,323*
PLN 32,377
za szt.
od 200 szt.
PLN 22,807*
PLN 28,053
za szt.
od 6000 szt.
PLN 19,997*
PLN 24,596
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.