Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 30 TO-247 153 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2410723
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     FGH4L40T120LQD
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 153 W
Typ opakowania = TO-247
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
153 W
Liczba tranzystorów:
30
Typ opakowania:
TO-247
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2410723, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGH4L40T120LQD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8 750,5515*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 450 szt. (od PLN 19,44567* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 8 946,0135*
PLN 11 003,59661
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 8 892,8325*
PLN 10 938,18398
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 8 786,484*
PLN 10 807,37532
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 8 751,033*
PLN 10 763,77059
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 8 750,5515*
PLN 10 763,17835
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.