Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2412303
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGWS60TS65DGC13
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 156 W
Typ opakowania = TO-247GE
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
51 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
156 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedynczy kolektor, pojedynczy emiter, pojedyncza bramka
Typ opakowania:
TO-247GE
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2412303, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGWS60TS65DGC13
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6 223,764*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 600 szt. (od PLN 10,37294* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 6 509,55*
PLN 8 006,7465
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 6 488,07*
PLN 7 980,3261
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 6 375,474*
PLN 7 841,83302
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 6 303,444*
PLN 7 753,23612
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 6 223,764*
PLN 7 655,22972
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.