Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 4 275 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445370
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     F475R06W1E3BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Liczba tranzystorów = 4
Konfiguracja = Emiter-kolektor, poczwórny (2 x podwójna)
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
275 W
Liczba tranzystorów:
4
Konfiguracja:
Emiter-kolektor, poczwórny (2 x podwójna)
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2445370, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, F475R06W1E3BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 147,119*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 207,773*
PLN 255,561
za szt.
od 2 szt.
PLN 190,507*
PLN 234,324
za szt.
od 5 szt.
PLN 169,545*
PLN 208,54
za szt.
od 10 szt.
PLN 166,719*
PLN 205,064
za szt.
od 20 szt.
PLN 160,169*
PLN 197,008
za szt.
od 3000 szt.
PLN 147,119*
PLN 180,956
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.