Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445377
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP100R12KT4B11BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 515 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
515 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2445377, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP100R12KT4B11BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 871,869*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 123,661*
PLN 1 382,103
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 068,324*
PLN 1 314,039
za szt.
od 3 szt.
PLN 961,529*
PLN 1 182,681
za szt.
od 5 szt.
PLN 914,669*
PLN 1 125,043
za szt.
od 10 szt.
PLN 899,299*
PLN 1 106,138
za szt.
od 500 szt.
PLN 871,869*
PLN 1 072,399
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.