Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V 1 4.3 kW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445889
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FZ900R12KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 1
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
4.3 kW
Liczba tranzystorów:
1
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2445889, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FZ900R12KE4HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 823,971*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 045,353*
PLN 1 285,784
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 003,03*
PLN 1 233,727
za szt.
od 3 szt.
PLN 902,731*
PLN 1 110,359
za szt.
od 5 szt.
PLN 872,701*
PLN 1 073,422
za szt.
od 10 szt.
PLN 868,421*
PLN 1 068,158
za szt.
od 500 szt.
PLN 823,971*
PLN 1 013,484
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.