Moduł IGBT 2 Q0BOOST - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 69 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2456990

Producent:
onsemi

Nr producenta:
NXH80B120MNQ0SNG

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Maksymalna strata mocy = 69 W

Dalsze informacje:


Maksymalna strata mocy:	69 W
Liczba tranzystorów:	2
Typ opakowania:	Q0BOOST - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide)

Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2456990, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NXH80B120MNQ0SNG

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 7 663,50216*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 24 szt. (od PLN 319,31259* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 8 030,24208*	PLN 9 877,19776	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 7 998,252*	PLN 9 837,84996	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 7 839,732*	PLN 9 642,87036	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 7 745,73216*	PLN 9 527,25056	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 7 663,50216*	PLN 9 426,10766	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.